+ 85 C NVRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Verpackung/Gehäuse
Schnittstellen-Typ
Speichergröße
Organisation
Datenbus-Weite
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Betriebsversorgungsstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
12Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-32 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1245AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
17Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-32 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 120 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1245Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 8M Nonvolatile SRAM
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-36 Parallel 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1265Y Tube
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104M Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 25ns 32K x 8 nvSRAM
Datenblatt
27Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SSOP-48 256 kbit 32 k x 8 25 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B256LA Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
13Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-32 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 120 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1245AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
289erwartet ab 18.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-28 Parallel 64 kbit 8 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1225AD Tube
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM
Datenblatt
281erwartet ab 04.03.2027
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 20ns 1024K x 8 nvSRAM
Datenblatt
135erwartet ab 18.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
3Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 200 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1230Y Tube

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
459Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 11
Mult.: 11

PDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1250AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
800Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 11
Mult.: 11

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA - 40 C + 85 C DS1250W Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
236Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 11
Mult.: 11

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1250Y Tube

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1230Y Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

PowerCap Module-34 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1245YP Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 8M Nonvolatile SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 9
Mult.: 9

EDIP-36 Parallel 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1265AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM with Battery
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA - 40 C + 85 C DS1330W Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B101LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

FBGA-48 256 kbit 32 k x 8 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14V256LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 3.4Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SOIC-16 I2C 1 Mbit 128 k x 8 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 85 C CY14B101I Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 25ns 64K x 16 nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B101NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B101NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SOIC-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 1 mA - 40 C + 85 C CY14B101Q2A Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 350
Mult.: 1 350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Reel