4 Mbit MRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Verpackung/Gehäuse
Schnittstellen-Typ
Speichergröße
Organisation
Datenbus-Weite
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Betriebsversorgungsstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Everspin Technologies MRAM IC RAM 4Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBB313ES2R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000
BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies MRAM IC RAM 4Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies MRAM IC RAM 4Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 960
Mult.: 480

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies MRAM IC RAM 4Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM IC RAM 4Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 960
Mult.: 480

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13CS2R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13CS2T
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 910
Mult.: 455
DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13ES2R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies MRAM IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies MRAM IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 910
Mult.: 455

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies MRAM IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13IS2R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Reel
Everspin Technologies MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 140
Mult.: 570

DFN-8 SPI 4 Mbit 812 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA 0 C + 70 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

DFN-8 SPI 4 Mbit 812 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA 0 C + 70 C MR25H40 Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 105 C MR25H40 Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray