Nichtflüchtiger serieller F-RAM Speicher

Die F-RAM-Speicher (Ferroelectric RAM) von Cypress Semiconductor vereinen nichtflüchtige Speicherkapazität von ROM mit der hohen Geschwindigkeit von RAM. Das serielle F-RAM zeichnet sich durch zahlreiche Schnittstellen- und Dichte-Optionen, einschließlich SPI und I2C-Schnittstellen, branchenübliche Gehäuse und Speicherdichten von 4KB bis 4MB aus. Die seriellen F-RAMs von Cypress bieten drei entscheidende Vorteile gegenüber anderen nichtflüchtigen Speichertechnologien: hohe Schreibgeschwindigkeit, extrem hohe Ausdauer und geringen Stromverbrauch. Das serielle F-RAM hält 100 Billionen Zyklen durch, was die Schreibzyklen-Grenze von 1 Million bei EEPROM überschreitet. Die Notwendigkeit eines Verschleißausgleichs zur Unterstützung eines Produkts über seine Lebensdauer fällt damit weg.