Renesas Electronics EEPROM

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Organisation
Verpackung/Gehäuse
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Datenspeicherung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,PLCC,IND TEMP,120NS,PB FREE
Datenblatt
720Auf Lager
Min.: 360
Mult.: 360

64 kbit Parallel 8 k x 8 PLCC-32 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year - 40 C + 85 C X28HC64 Tube

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,IND.,120NS, PB FREE
Datenblatt
158Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year - 40 C + 85 C X28HC256 Tube

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,IND.,120NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year - 40 C + 85 C X28HC256 Reel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,IND.,150NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year - 40 C + 85 C X28HC256 Tube

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM CMOS HI SPD 32LD 150NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year - 40 C + 85 C X28HC256 Reel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,IND.,90NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 90 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year - 40 C + 85 C X28HC256 Tube

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,IND.,90NS, PB FREE,T
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 90 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year - 40 C + 85 C X28HC256 Reel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,120NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year 0 C + 70 C X28HC256 Tube

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,120NS, PB FREE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year 0 C + 70 C X28HC256 Reel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,COM.,150NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 90
Mult.: 90

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year 0 C + 70 C X28HC256 Tube

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM CMOS HI SPD 32LD 150NS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year 0 C + 70 C X28HC256 Reel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,90NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 30
Mult.: 30

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 90 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year 0 C + 70 C X28HC256 Tube

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,90NS, PB FREE, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 90 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year 0 C + 70 C X28HC256 Reel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,PLCC,IND TEMP,120NS,PB FREE,T&
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

64 kbit Parallel 8 k x 8 PLCC-32 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year - 40 C + 85 C X28HC64 Reel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM CMOS, 32 LEAD PLCC, IND., 90NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

64 kbit Parallel 8 k x 8 PLCC-32 90 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year - 40 C + 85 C X28HC64 Reel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,28LD SOIC,IND TEMP,120NS, PB F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

64 kbit Parallel 8 k x 8 SOIC-28 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year - 40 C + 85 C X28HC64 Tube

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,28LD SOIC,IND TEMP,120NS,T&R,P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

64 kbit Parallel 8 k x 8 SOIC-28 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year - 40 C + 85 C X28HC64 Reel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,C.TEMP,120NS, PB FREE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 75
Mult.: 75

64 kbit Parallel 8 k x 8 SOIC-28 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year 0 C + 70 C X28HC64 Tube
Renesas / Intersil EEPROM 8Kx8 CMOS EEPROM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 312
Mult.: 312

64 kbit Parallel 8 k x 8 PDIP-28 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year - 40 C + 85 C X28HC64 Tube