S80KS5123GABHM020

Infineon Technologies
727-S5123GABHM020
S80KS5123GABHM020

Herst.:

Beschreibung:
DRAM SPCM

ECAD Model:
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Menge Stückpreis
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11.35 CHF 11.35 CHF
10.57 CHF 105.70 CHF
10.31 CHF 515.50 CHF
10.05 CHF 1 005.00 CHF
9.63 CHF 2 407.50 CHF
9.56 CHF 4 780.00 CHF
9.45 CHF 6 388.20 CHF
2 704 Kostenvoranschlag

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Infineon
Produktkategorie: DRAM
RoHS:  
FBGA-24
S80KS5123
Tray
Marke: Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: DRAM
Qualifikation: AEC-Q100
Verpackung ab Werk: 676
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Handelsname: HYPERRAM
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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Thailand
Land der Verbreitung:
Taiwan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2,0 Speicher

Infineon Technologies S80KS5122 und S80KS5123 HYPERRAM ™ 2,0 Speicher hat eine hohe Geschwindigkeit, einen niedrigen Pin-Count, einen selbst-aktualisierenden Dynamic RAM (DRAM), für hochleistungsfähige eingebettete Systeme, die eine Erweiterung Speicher für   Scratchpad- oder Pufferzwecke erfordern.  HYPERRAM Produkte unterstützen JEDEC JESD251 Profil   konforme HYPERBUS™ und Octal xSPI-Schnittstellen, die   auf die Legacy-Funktionen von parallelen und Serielle Schnittstelle zurückgreifen und gleichzeitig die Systemleistung   und das einfache Design verbessern, während die Systemkosten gesenkt werden.   Die Architektur mit einer niedrigen Pin-Anzahl macht das HYPERRAM besonders geeignet für Applikationen mit einer begrenzten Leistung und Platz auf der Platine, die externes RAMaußerhalb des Chips erfordern.