1 Gbit DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
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Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM
Datenblatt
2 258Auf Bestellung
Min.: 1
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SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640B Tray
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16
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23 327Auf Bestellung
Min.: 1
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SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16640C Tray
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM
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5 517Auf Bestellung
Min.: 1
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SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640B Tray
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
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950Auf Bestellung
Min.: 1
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SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16640C
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS. IT
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1 310Auf Bestellung
Min.: 1
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SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16640CL
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
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630Auf Bestellung
Min.: 1
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SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640C
ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
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203Auf Bestellung
Min.: 1
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SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32320C Reel
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Automotive Temp - Tray
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190erwartet ab 21.10.2026
Min.: 1
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SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C AS4C64M16D3B Tray
Alliance Memory DRAM 1GB, 2.5V, 166Mhz 64M x 16 DDR1
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106erwartet ab 31.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1
SDRAM - DDR 1 Gbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M16D1 Tray
ISSI IS46TR16640CL-125JBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
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570erwartet ab 17.08.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 1.066 GHz BGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C
Intelligent Memory DRAM DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
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SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM1G16D2 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 128Mx8, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 667 MHz FBGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IME1G08D3 Tray
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 C Temp
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C AS4C128M8D2A Reel
Alliance Memory DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2 I Temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C128M8D2A Reel
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 A-Temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C AS4C64M16D3LB Reel
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 E-Temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C AS4C64M16D3LB Reel
Alliance Memory DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 I-Temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C AS4C64M16D3LB Reel
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, (B-die), INDUSTRIAL TEMP - Tray
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C AS4C64M16D3LB Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 128Mx8, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-60
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FPGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 1066 at CL7, 1.8V, FBGA-84
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 533 MHz FPGA-84 64 M x 16 350 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 200
Mult.: 2 200

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 128Mx8, 1600 at CL11, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 200
Mult.: 2 200

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 800 MHz FPGA-78 128 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray