8 bit DRAM

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Menge RoHS ECAD Model Typ
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Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
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Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24
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4 800erwartet ab 06.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 133 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
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135Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
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96Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp
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210Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 32Mx8, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
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108erwartet ab 16.07.2026
Min.: 1
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SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IM2508SD Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 1G, 128M x 8, 1.8V, 60-ball BGA, 400 MHz, Industrial Temp A Die - Tray
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264erwartet ab 16.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C128M8D2A Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
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10Auf Lager
864Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
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136erwartet ab 09.02.2027
Min.: 1
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SDRAM - DDR3 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
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126Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
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241erwartet ab 12.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit BGA-78 256 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR82560D
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
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479erwartet ab 22.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Industrial Temp - Tray
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149erwartet ab 20.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 800 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
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960Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
HyperRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz 32 M x 8 36 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial
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5 000Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
ISSI DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
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242erwartet ab 07.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
Datenblatt
Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 220
Mult.: 220

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM8G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
Datenblatt
Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IME5108SD Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5108SD Tray
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Commercial temp
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM2G08D2 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 128Mx8, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 667 MHz FBGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IME1G08D3 Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-13 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel