2 Gbit Speicher-ICs

Arten von Speicher-ICs

Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 392
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Produkt Produkt-Typ Montageart Verpackung/Gehäuse Speichergröße Schnittstellen-Typ
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

DRAM SMD/SMT BGA-78 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT FBGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

NAND Flash SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI
ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

NAND Flash SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI

ISSI NAND-Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

NAND Flash SMD/SMT 2 Gbit SPI