+ 85 C Bulk Speicher-ICs

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Microchip Technology EEPROM 8K 1024 X 8 1.8V SERIAL EE, IND 867Auf Lager
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EEPROM Through Hole TO-92-3 8 kbit UNI/O Bus
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 1.8V SERIAL EE, IND 1 703Auf Lager
Min.: 1
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EEPROM Through Hole TO-92-3 2 kbit UNI/O Bus
Microchip Technology EEPROM 16K 2048 X 8 1.8V SERIAL EE IND 957Auf Lager
Min.: 1
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EEPROM Through Hole TO-92-3 16 kbit UNI/O Bus
Microchip Technology AT21CS01-TOHM10-B
Microchip Technology EEPROM 1.7-3.6V, 125Kbps, Ind Tmp, TO-92, Add=000 218Auf Lager
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EEPROM Through Hole TO-92-3 1 kbit 1-Wire, I2C
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 413Auf Lager
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SRAM SMD/SMT TFBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI DRAM 16Mb 1Mx16 50ns Async EDO DRAM 664Auf Lager
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DRAM SMD/SMT TSOP-II-44 16 Mbit
ISSI NAND-Flash 4G 1.8V x8 4-bit NAND-Flash 68Auf Lager
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NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 1.8V SERIAL EE, IND 16Auf Lager
3 000erwartet ab 07.09.2026
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EEPROM Through Hole TO-92-3 1 kbit UNI/O Bus
Microchip Technology EEPROM 4K 512 X 8 1.8V SERIAL EE, IND 514Auf Lager
Min.: 1
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EEPROM Through Hole TO-92-3 4 kbit UNI/O Bus
Microchip Technology EEPROM 16K 2048 X 8 1.8V SERIAL EE, IND 2 450Auf Lager
Min.: 1
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EEPROM Through Hole TO-92-3 16 kbit UNI/O Bus

ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 299Auf Lager
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SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel
ISSI DRAM 16Mb 1Mx16 50ns Async FP DRAM 81Auf Lager
Min.: 1
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DRAM SMD/SMT TSOP-II-44 16 Mbit
ISSI NAND-Flash 4G 3V x8 4-bit NAND-Flash 10Auf Lager
Min.: 1
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NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel
ISSI DRAM 512Mb 32Mx16 166MHz Mobile SDRAM
348Auf Bestellung
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DRAM SMD/SMT FBGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
696Auf Bestellung
Min.: 1
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DRAM SMD/SMT FBGA-54 512 Mbit
Microchip Technology EEPROM 16K 2048 X 8 1.8V SERIAL EE IND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
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EEPROM Through Hole TO-92-3 16 kbit 2-Wire, I2C
Apacer DRAM DDR5 REG DIMM 4800 2048x8 32GB SA FLF HF Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
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DRAM SMD/SMT FBGA-288 32 GB
Swissbit eMMC Industrial Embedded MMC, EM-30 (153-b), 4 GB, 3D TLC Flash, -40C to +85C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
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eMMC SMD/SMT BGA-153 4 GB eMMC 5.1
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
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SRAM SMD/SMT TFBGA-48 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
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SRAM SMD/SMT TSOP-48 8 Mbit Parallel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel