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23LCV04M-I/ST

Name: Microchip 23LCV04M-I/ST
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-23LCV04M-I/ST
Price: 4.13 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

579-23LCV04M-I/ST

Herst.- Nr.:

23LCV04M-I/ST

Herst.:

Microchip Technology

Beschreibung:

SRAM 4Mbit serial SRAM, 2.2V-3.6V with Battery Backup

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

23LCV04M-I/ST Datenblatt (PDF)

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	SRAM
RoHS:
Speichergröße:	4 Mbit
Organisation:	512 k x 8
Maximale Taktfrequenz:	143 MHz
Schnittstellen-Typ:	SDI, SPI, SQI
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:	2.2 V
Versorgungsstrom - Max.:	20 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSSOP-14
Verpackung:	Tube
Marke:	Microchip Technology
Speichertyp:	SRAM
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	SRAM
Verpackung ab Werk:	96
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Typ:	Serial RAM

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Datenblatt

23LCV04M-I/ST Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

23AA04M/23LCV04M 4 Mb SPI/SDI/SQI SRAMs

Die 23AA04M und 23LCV04M 4 Mb-SPI/SDI/SQI-SRAMs von Microchip Technology sind Random-Access-Speicher, die über einen SPI-kompatiblen seriellen BUS (Serial Peripheral Interface, SPI) zugänglich sind. Der SRAM bietet 4096K-Bit-Lese- und Schreiboperationen mit geringem Stromverbrauch und Einzelspannung. Die 23AA04M und 23LCV04M unterstützen eine serielle Dual-Schnittstelle (SDI) und eine serielle Quad-Schnittstelle (SQI) für schnellere Datenraten und eine 143 MHz Hochgeschwindigkeits-Taktfrequenz. Die SRAMs bieten eine integrierte Fehlerkorrekturcode-Logikschaltung (ECC), die eine hohe Zuverlässigkeit gewährleistet. Die 23AA04M und 23LCV04M 4 Mb SPI/SDI/SQI SRAMs von Microchip Technology bieten eine 256 x 8-Bit Organisation mit Byte-, Seiten- und sequenziellen Modi für Lese- und Schreibvorgänge. Der SRAM arbeitet mit unbegrenzten Lese-/Schreibzyklen und externer Batterie-Backup-Unterstützung. Die Bauteile sind halogenfrei und RoHS-konform.