SRAM

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 55ns Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,55ns,2.5v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,2.5v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Tray
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,2.5v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns,2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns,2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel