NAND-Flash

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Serie Speichergröße Schnittstellen-Typ Organisation Timing-Typ Datenbus-Weite Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
ISSI NAND-Flash 1G 3V x8 1-bit NAND-Flash 285Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT,AutoGrade 213Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel 256 M x 16 Asynchronous 16 bit 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI NAND-Flash 1G 3V x8 4-bit NAND-Flash 364Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G084 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 1G 1.8V x16 4-bit NAND-Flash 45Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 200

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 64 M x 16 Asynchronous 16 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R, , AutoGrade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
Rolle: 1 500

SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI NAND-Flash 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R, AutoGrade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel 256 M x 16 Asynchronous 16 bit 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI NAND-Flash 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, , AutoGrade Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C