DRAM

Ergebnisse: 19
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel