FM25V02A-DGTR

Infineon Technologies
727-FM25V02A-DGTR
FM25V02A-DGTR

Herst.:

Beschreibung:
F-RAM NVRAM FRAM Memory Serial

ECAD Model:
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 5.28 CHF 5.28
CHF 4.93 CHF 49.30
CHF 4.91 CHF 122.75
CHF 4.78 CHF 1 195.00
CHF 4.68 CHF 2 340.00
CHF 4.57 CHF 4 570.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 4.39 CHF 13 170.00
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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Tube
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 5.75
Min:
1

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Infineon
Produktkategorie: F-RAM
RoHS:  
256 kbit
SPI
25 MHz, 40 MHz
32 k x 8
DFN-8
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM24V02
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: FRAM
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Gewicht pro Stück: 125.882 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

WICED IoT-Plattform

Die Cypress Semiconductor WICED IoT-Plattform ist ein Portfolio von drahtlosen Technologien, die von Wi-Fi® und Bluetooth® bis zu MCUs reichen und für das IoT ausgelegt sind. Diese entwicklungsbereiten sicheren Produkte optimieren und vereinfachen Designs. Cypress hat über 20 Ökosystem-Partner, die daran arbeiten anhaltende Designprobleme zu lösen.  

Nichtflüchtiger serieller F-RAM Speicher

Die F-RAM-Speicher (Ferroelectric RAM) von Cypress Semiconductor vereinen nichtflüchtige Speicherkapazität von ROM mit der hohen Geschwindigkeit von RAM. Das serielle F-RAM zeichnet sich durch zahlreiche Schnittstellen- und Dichte-Optionen, einschließlich SPI und I2C-Schnittstellen, branchenübliche Gehäuse und Speicherdichten von 4KB bis 4MB aus. Die seriellen F-RAMs von Cypress bieten drei entscheidende Vorteile gegenüber anderen nichtflüchtigen Speichertechnologien: hohe Schreibgeschwindigkeit, extrem hohe Ausdauer und geringen Stromverbrauch. Das serielle F-RAM hält 100 Billionen Zyklen durch, was die Schreibzyklen-Grenze von 1 Million bei EEPROM überschreitet. Die Notwendigkeit eines Verschleißausgleichs zur Unterstützung eines Produkts über seine Lebensdauer fällt damit weg.