S80KS2564GACHI040

Infineon Technologies
727-S80KS2564GACHI04
S80KS2564GACHI040

Herst.:

Beschreibung:
DRAM SPCM

ECAD Model:
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CHF 5.22 CHF 52.20
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CHF 5.02 CHF 251.00
CHF 4.95 CHF 495.00
CHF 4.60 CHF 1 196.00
CHF 4.59 CHF 2 386.80
2 600 Kostenvoranschlag

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Infineon
Produktkategorie: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
256 Mbit
16 bit
200 MHz
FBGA-49
35 ns
1.7 V
2 V
- 40 C
+ 85 C
Tray
Marke: Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: DRAM
Verpackung ab Werk: 260
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.: 20 mA
Artikel # Aliases: SP005647395
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CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320024
ECCN:
3A991.b.2.a

S80KS2562 & S80KS2563 256 Mb HYPERRAM™ 2.0 Speicher.

Infineon Technologies S80KS2562 und S80KS2563 HYPERRAM ™ 2.0 Speicher sind schnelle, Niedrig-Pinanzahl, stromsparende   selbst-aktualisierende dynamische RAM (DRAM) mit einer HyperBUS (S80KS2562) oder Octal xSPI (S80KS2563)-Schnittstelle. Beide Bauteile verfügen über einen 200 MHz maximalen Taktgeber, einen   Datendurchsatz von bis zu 400MBps und energiesparende Hybrid-Sleep- und einem   Deep Power-Down- Modi. Die S80KS2562 und S80KS2563 HyperRAM sind ideale eingebettete Hochleistungssysteme, die einen erweiterten Speicher für den Zwischenspeicher oder die Pufferung erfordern.