2 Gbit Speicher-ICs

Arten von Speicher-ICs
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt
Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Infineon Technologies S70GL02GS11FHI023
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 600
Mult.: 1 600
: 1 600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GS11FHV023
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 600
Mult.: 1 600
: 1 600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GS12FHIV13
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 600
Mult.: 1 600
: 1 600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GS12FHIV23
Infineon Technologies NOR-Flash PNOR
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 600
Mult.: 1 600
: 1 600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB013
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 600
Mult.: 1 600
: 1 600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB020
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 180
Mult.: 180

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB023
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 600
Mult.: 1 600
: 1 600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHB010
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT11FHV020
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 180
Mult.: 180

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV23
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 600
Mult.: 1 600
: 1 600

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV20
Infineon Technologies NOR-Flash Nor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

NOR Flash 2 Gbit
Infineon Technologies S70GL02GS11FHI020
Infineon Technologies NOR-Flash 2G 3V 110ns Parallel NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NOR Flash SMD/SMT BGA-64 2 Gbit Parallel
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

DRAM SMD/SMT FPGA-78 2 Gbit
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

DRAM SMD/SMT FPGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 2 Gbit