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QPD1026LEVB1

Name: Qorvo QPD1026LEVB1
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1026LEVB1
Price: 890.19 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-QPD1026LEVB1

Herst.- Nr.:

QPD1026LEVB1

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

RF-Entwicklungstools 1500W, 65V,GaN pre-matched, 442(+/-5) MH

Datenblatt:

QPD1026LEVB1 Datenblatt (PDF)

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Das Produkt ist nur für OEM/EMS- und Design-Business-Kunden verfügbar. Das Produkt wird nicht an Verbraucher in der EU oder im Vereinigten Königreich versandt

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	RF-Entwicklungstools
Versandbeschränkungen:	Das Produkt ist nur für OEM/EMS- und Design-Business-Kunden verfügbar. Das Produkt wird nicht an Verbraucher in der EU oder im Vereinigten Königreich versandt
Produkt:	Evaluation Boards
Typ:	RF Transistor
Tool für die Evaluierung von:	QPD1026L
Frequenz:	432 MHz to 442 MHz
Marke:	Qorvo
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Verpackung:	Bag
Produkt-Typ:	RF Development Tools
Serie:	QPD1026L
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools
Artikel # Aliases:	QPD1026L

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Datenblatt

QPD1026LEVB1 Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 9030820000
USHTS:: 9030820000
KRHTS:: 9030820000
TARIC:: 9030820000
MXHTS:: 9030820100
ECCN:: EAR99

QPD1026LEVB Evaluierungsboard

Das Qorvo QPD1026LEVB Evaluierungsboard ist eine Demonstrations- und Entwicklungsplattform für den QPD1026L GaN-HF-Eingangs-abgestimmten Transistor. Der QPD1026L ist ein diskreter 1.300-W-Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-High-Electron-Mobility-Transistor (GaN-auf-SiC-HEMT), der von 420 MHz bis 450 MHz betrieben wird. Der QPD1026L bietet eine lineare Gain von 25,9 dB bei 440 MHz.Die Eingangs-Vorabanpassung innerhalb des Gehäuses führt zu einer einfacheren externen Boardanpassung, wodurch Boardplatz gespart wird. Das Bauteil unterstützt sowohl kontinuierliche Wellen- als auch gepulste Betriebsabläufe.