MAPC-A3010-ABSB1

MACOM
937-MAPC-A3010-ABSB1
MAPC-A3010-ABSB1

Herst.:

Beschreibung:
RF-Entwicklungstools Application & Test Fixture,MAPC-A3010-AB

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
Mehr über
Weitere Informationen zu MACOM MAPC-A3010-ABSB1
Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.

Auf Lager: 1

Lagerbestand:
1 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
26 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:
Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
1 906.97 CHF 1 906.97 CHF

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
MACOM
Produktkategorie: RF-Entwicklungstools
Versandbeschränkungen:
 Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:  
Add-On Boards
RF Transistor
MAPC-A3010-AB
0 Hz to 4 GHz
Marke: MACOM
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: US
Produkt-Typ: RF Development Tools
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Development Tools
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CAHTS:
9030820000
USHTS:
9030820000
KRHTS:
9030820000
TARIC:
9030820000
MXHTS:
9030820100
ECCN:
3A001.b.3.a.4

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.


Haben Sie eine Frage? Bitte besuchen Sie das Hilfecenter.
Bei Fragen zu einer bestimmten Bestellung melden Sie sich bitte bei Ihrem Konto an.

Sollten Sie weitere Probleme haben, kontaktieren Sie uns bitte unter 800-346-6873 oder senden Sie eine E-Mail an help@mouser.com.