PJT138KR100001 MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Panjit MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Datenblatt
44 484Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs SOT363 N-CH 50V .36A
Datenblatt
N/A

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 630 pC - 55 C + 150 C 236 mW Enhancement
Panjit MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000

Si Reel