BC846BPDW1T1G Bipolartransistoren - BJT

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Konfiguration Maximaler Kollektorgleichstrom (DC) Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Kollektor-Basisspannung VCBO Emitter-Basisspannung VEBO Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Pd - Verlustleistung Bandbreitengewinnungsprodukt fT Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Qualifikation Serie Verpackung
onsemi Bipolartransistoren - BJT 100mA 80V Dual Complementary 67 211Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SC-70-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 600 mV, 650 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies BC846BPDW1T1G
Infineon Technologies Bipolartransistoren - BJT N/A
Si NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C

onsemi Bipolartransistoren - BJT SS DUAL GEN XSTR 9 115Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 250 mV, 300 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Bipolartransistoren - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR 361Auf Lager
153 000erwartet ab 02.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 600 mV, 650 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q100 BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Bipolartransistoren - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR 30 000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 600 mV, 650 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q100 BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel