BC548 Bipolartransistoren - BJT

Ergebnisse: 8
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 30V 100mA HFE/450
Datenblatt
4 222Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 100 mA 30 V 30 V 5 V 250 mV 500 mW 300 MHz + 150 C BC548 Ammo Pack
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 30V 100mA
Datenblatt
9 065Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 100 mA 30 V 30 V 5 V 250 mV 500 mW 300 MHz + 150 C BC548 Ammo Pack
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92BK, 30V, 100mA, NPN
Datenblatt
9 130Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92BK NPN Single 100 mA 30 V 30 V 5 V 600 mV 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C BC548 Bulk
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92BK, 30V, 100mA, NPN
Datenblatt
11 938Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92BK NPN Single 100 mA 30 V 30 V 5 V 600 mV 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C BC548 Bulk
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92, 30V, 100mA, NPN
Datenblatt
10 850Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si Through Hole TO-92 NPN Single 100 mA 30 V 5 V 600 mV 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C BC548 Ammo Pack
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92, 30V, 100mA, NPN
Datenblatt
10 244Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si Through Hole TO-92 NPN Single 100 mA 30 V 5 V 600 mV 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C BC548 Ammo Pack
Diotec Semiconductor Bipolartransistoren - BJT BJT, TO-92, 30V, 100mA, NPN
Datenblatt
7 801Auf Lager
4 000erwartet ab 29.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Si Through Hole TO-92 NPN Single 100 mA 30 V 5 V 600 mV 500 mW 300 MHz - 55 C + 150 C BC548 Ammo Pack
onsemi Bipolartransistoren - BJT NPN 30V 100mA HFE/8
Datenblatt

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 100 mA 30 V 30 V 5 V 250 mV 500 mW 300 MHz - 65 C + 150 C BC548 Bulk