RJP65T43DPM-00#T1

Renesas Electronics
968-RJP65T43DPM-00T1
RJP65T43DPM-00#T1

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs POWER TRS1

Lebenszyklus:
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Datenblatt:
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Menge Stückpreis
Erw. Preis
12.45 CHF 12.45 CHF
9.49 CHF 94.90 CHF
7.90 CHF 948.00 CHF
7.03 CHF 3 585.30 CHF
6.61 CHF 6 742.20 CHF

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Renesas Electronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-3PFM
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
40 A
68.8 W
+ 175 C
Tube
Marke: Renesas Electronics
Kollektorgleichstrom Ic max.: 20 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 1 uA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Malaysia
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

RJP65T43DPM Hochgeschwindigkeits-Schalt-IGBT

Der RJP65T43DPM Hochgeschwindigkeits-Schalt-IGBT von Renesas Electronics ist ein 650 V, 20 A IGBT mit einem Betriebsfrequenzbereich von 20 kHz bis 100 kHz. Dieser IGBT bietet eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und wird in einem TO-3PFM-Gehäuse geliefert. Der RJP65T43DPM IGBT hat einen Kollektorspitzenstrom von 150 A, eine Kollektorverlustleistung von 68,8 W und eine Sperrschichttemperatur von 175 °C. Dieser IGBT wird in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C gespeichert und zu den typischen Applikationen gehören die Leistungsfaktorkorrektur (PFC).

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