B82804E0164A200

EPCOS / TDK
871-B82804E0164A200
B82804E0164A200

Herst.:

Beschreibung:
Netztransformatoren Half Bridge, Turns Ratio 1 : 28 : 1.53, EP9 IGBT Gate Drive Transformer

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TDK
Produktkategorie: Netztransformatoren
RoHS:  
Power Transformers
SMD/SMT
Single Primary Winding
Dual Secondary Winding
11.45 mm
10.7 mm
10.55 mm
EP9
Marke: EPCOS / TDK
Induktivität: 260 uH
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Betriebsfrequenz: 100 kHz to 400 kHz
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Produkt-Typ: Power Transformers
Verpackung ab Werk: 250
Unterkategorie: Transformers
Montage: SMD/SMT
Wicklungsverhältnis: 1:2.8:1.53
Typ: Half Bridge
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Ausgewählte Attribute: 0

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USHTS:
8504312000
JPHTS:
850431000
ECCN:
EAR99

EP9 IGBT-Gate-Drive-Transformatoren

Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 von EPCOS/TDK sind kompakte Bauteile, die auf einem MnZn-Ferritkern in SMD-L-Pin-Bauweise aufgebaut sind.Diese Transformatoren bieten eine ausgezeichnete Isolierung, minimale Kopplungskapazität und eine hohe thermische Widerstandsfähigkeit. Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 unterstützen Halbbrücken- oder Push-Pull-Topologien. Diese Transformatoren zeichnen sich durch eine geringe Kopplungskapazität von 2 pF und eine Luftstrecke von ≥ 5 mm (kumulativ und Kern schwebend) aus. Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 arbeiten in einem Frequenzbereich von 100 kHz bis 400 kHz und einem Temperaturbereich von -40 °C bis 150 °C.  Diese Transformatoren sind RoHS-konform und AEC-Q200-qualifiziert. Die IGBT-Gate-Drive-Transformatoren EP9 sind speziell für IGBT- und FET-Gate-Treiber-Schaltungen ausgelegt. Zu den typischen Applikationen gehören isolierte DC/DC-Wandler, isolierte AC/DC-Wandler und Gate-Treiber-Schaltungen.