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MMBT3904T RSG

Name: Taiwan Semiconductor MMBT3904T RSG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-MMBT3904TRSG
Price: 0.17 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

821-MMBT3904TRSG

Herst.- Nr.:

MMBT3904T RSG

Herst.:

Taiwan Semiconductor

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT 60V, 0.2A, NPN Bipolar Transistor

Datenblatt:

MMBT3904T RSG Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 0.033	CHF 99.00
	CHF 0.03	CHF 180.00
	CHF 0.024	CHF 216.00

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Hersteller:	Taiwan Semiconductor
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-523-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	200 mA
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	40 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	60 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	300 mV
Pd - Verlustleistung:	150 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Taiwan Semiconductor
Kollektorgleichstrom:	200 mA
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	30
DC Stromverstärkung hFE max.:	300
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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ECCN:: EAR99

MMBT3904T NPN Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3904T NPN Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with 60V of collector-to-base voltage (V_CBO), 40V of collector-to-emitter voltage (V_CEO), and 6V of emitter-to-base voltage (V_EBO). The MMBT3904T NPN transistor features a collector current of 200mA and a power dissipation (P_D) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.