Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

XPQR3004PB,LXHQ

Name: Toshiba XPQR3004PB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPQR3004PBLXHQ
Price: 5.53 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-XPQR3004PBLXHQ

Herst.- Nr.:

XPQR3004PB,LXHQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs L-TOGL N-CH 40V 400A

Datenblatt:

XPQR3004PB,LXHQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Toshiba XPQR3004PB,LXHQ

Auf Lager: 1 265

Lagerbestand:: 1 265

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 16 500

erwartet ab 20.02.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 14

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 5.53	CHF 5.53
	CHF 3.97	CHF 39.70
	CHF 3.03	CHF 303.00
	CHF 2.95	CHF 2 950.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 2.90	CHF 4 350.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	L-TOGL-9
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	400 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	470 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	295 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	750 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Abfallzeit:	130 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	65 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	395 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	120 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

XPQR3004PB,LXHQ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2024 - MOSFETs

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

L-TOGL und S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs

Die Toshiba L-TOGL und S-TOGL AEC-Q101 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs bieten einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, eine hohe Drainstrombelastbarkeit und eine hohe Dissipation. Dies wird durch die Kombination von hoch-wärmeleitfähigen Gehäusen [L-TOGL (Large-Transistor-Outline mit Gull-Wing-Anschlüssen) und S-TOGL (Small-Transistor-Outline mit Gull-Wing-Anschlüssen)] mit den Chipprozessen U-MOS IX-H und U-MOS XH erreicht. Die L-TOGL- und S-TOGL-MOSFETs von Toshiba bieten außerdem Hochstromfähigkeit und sind für die Leitfähigkeit von hohen Temperaturen ausgelegt, um die Leistungsdichte in einer Vielzahl von Fahrzeuganwendungen zu verbessern. Das L-TOGL-Gehäuse ist in seiner Größe mit dem vorhandenen TO-220SM(W)-Gehäuse vergleichbar. Allerdings verbessert XPQR3004PB den Nennstrom erheblich und senkt den Einschaltwiderstand auf 0,23 mΩ (typisch). Der optimierte Footprint der L-TOGLs trägt auch dazu bei, die thermischen Eigenschaften im Vergleich zum TO-220SM(W)-Gehäuse in gleicher Größe zu verbessern.

XPQR3004PB 40 V 400 A Automotive-MOSFET

Der Toshiba XPQR3004PB 40 V MOSFET hat einen RDS(ON) von 0,23 mΩ (typisch), eine Fähigkeit von 400 A und eine Schwellenspannung (V_th) von 2 V bis 3 V. Weitere Funktionen umfassen eine maximale Betriebstemperatur von +175 °C und einen maximalen Ableitstrom von 10 µA (V_DS= 40 V). Der XPQR3004PB MOSFET von Toshiba wird in einem L-TOGL-Gehäuse angeboten, das eine thermische Impedanz von 0,2 °C/W und 750 W Verlustleistung bietet. Dieses Gerät ist AEC-Q101 zertifiziert und ideal für Fahrzeuganwendungen, Schaltspannungsregler, Motortreiber und DC/DC-Wandler.