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IMT40R011M2HXTMA1

Name: Infineon IMT40R011M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT40R011M2HXTMA
Price: 12.28 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMT40R011M2HXTMA

Herst.- Nr.:

IMT40R011M2HXTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IMT40R011M2HXTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOF-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	400 V
Id - Drain-Gleichstrom:	144 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	16.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	85 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	429 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9.3 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	18.3 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Typ:	G2 MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	29.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15.8 ns
Artikel # Aliases:	IMT40R011M2H SP005915790

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Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 400-V-G2-Siliziumkarbid-MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400 V G2 Siliciumcarbid-MOSFETs sind hervorragend geeignet für hartschaltende und resonante Schalttopologien. Die Infineon 400 V CoolSiC MOSFETs sind speziell für den Einsatz in der AC/DC-Stufe von KI-Server-Netzteilen (PSUs) ausgelegt und eignen sich auch hervorragend für Applikationen wie Solar- und Energiespeichersysteme. CoolSiC-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist.