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FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Name: Infineon FF8MR12W1M1HB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF8MR12W1M1HB11B
Price: 91.06 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FF8MR12W1M1HB11B

Herst.- Nr.:

FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V

Datenblatt:

FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Typ:	Half Bridge
Technologie:	Si
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Verpackung ab Werk:	24
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	EasyDUAL
Artikel # Aliases:	FF8MR12W1M1H_B11 SP005634498

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Datenblatt

FF8MR12W1M1HB11BPSA1 Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Zuverlässige und effiziente Stromversorgung für Rechenzentren

Die zuverlässige und effiziente Stromversorgung für Rechenzentren von Infineon Technologies umfasst skalierbare Lösungen mit Nennleistungen von ca. 5 kW bis 50/60 kW. Diese Infineon Lösung eignet sich hervorragend für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), die eine hohe Leistungsdichte und Energieeffizienz erfordern. Die Module nutzen verschiedene Chip-Technologien, einschließlich Si-IGBT, CoolSiC™ Hybrid und CoolSiC MOSFET, um verschiedene Anforderungen an Kosteneffizienz und Leistungsfähigkeit zu erfüllen. Das Portfolio von Infineon ist für alle Systemebenen einer USV mit verschiedenen Spannungsklassen ausgelegt und so eingestellt, dass es Angebote erweitert, um niedrigere Nennleistungsklassen einzubeziehen.

EasyDUAL™ 1B-IGBT-Module

Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B-IGBT-Module mit CoolSiC™ MOSFETs bieten eine sehr geringe Streuinduktivität und einen hervorragenden Wirkungsgrad, der höhere Frequenzen, eine höhere Leistungsdichte und einen reduzierten Kühlbedarf ermöglicht. Die 1200 V, 8 mΩ Halbbrückenmodule umfassen einen integrierten NTC-Temperatursensor und eine PressFIT-Kontakttechnologie. Wärmeleitmaterial ist auf den xHP_B11-Varianten verfügbar. Diese Bauteile verfügen über empfohlene Gate-Treiber-Spannungsbereiche von 0 bis 5 V und +15 V bis +18 V, maximale Gate-Source-Spannungen von +23 V oder -10 V und Drain-Source-On-Widerstandsoptionen von 17 m Ω oder 33 mΩ. Integrierte Montageklemmen bieten eine robuste Montagesicherheit.