LMG3100R044VBER

Texas Instruments
595-LMG3100R044VBER
LMG3100R044VBER

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 100V 4.4mohm GaN FET with integrated dri

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 6.28 CHF 6.28
CHF 4.81 CHF 48.10
CHF 4.48 CHF 112.00
CHF 3.95 CHF 395.00
CHF 3.74 CHF 935.00
CHF 3.38 CHF 1 690.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 3.38 CHF 8 450.00
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Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Gate Drivers
SMD/SMT
VQFN-15
1 Output
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 125 C
LMG3100R044
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Entwicklungs-Kit: LMG3100EVM-089
Eingangsspannung – Max: 5.25 V
Eingangsspannung – Min: 4.75 V
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Betriebsversorgungsstrom: 35 A
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 70 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 4.4 mOhms
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542391090
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG3100R0x GaN-FETs mit integrierten Treibern

Die Galliumnitrid (GaN)-FETs LMG3100R0x von Texas Instruments mit integrierten Treibern sind GaN-FETs mit 1,7 mΩ und Treiber mit High-Side-Pegelwandler und Bootstrap. Zwei LGM3100-Bauteile können zu einer Halbbrücke zusammengeschlossen werden, ohne dass ein externer Pegelwandler erforderlich ist. Die GaN-FET- und Treiberkomponenten verfügen über einen integrierten  Unterspannungsschutz (UVLO) für die Versorgungsschiene sowie eine interne Bootstrap-Spannungsbegrenzung, um eine Überspannung der Versorgungsspannung (>5,4 V) zu verhindern. Das Bauteil LMG3100R0x von Texas Instruments bietet einen niedrigen Stromverbrauch und eine verbesserte Benutzeroberfläche. Das Bauteil LMG3100R017 ist eine hervorragende Lösung für Applikationen mit hoher Frequenz und Effizienz, einschließlich Auf-/Abwärtswandler, LLC-Wandler, Solarumrichter, Telekommunikation, Motorantriebe, Elektrowerkzeuge und Audioverstärker der Klasse D.