LMG2100R026VBNR

Texas Instruments
595-LMG2100R026VBNR
LMG2100R026VBNR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 100V 2.6m? half-brid ge gallium nitride

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CHF -.--
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 10.28 CHF 10.28
CHF 8.22 CHF 82.20
CHF 7.97 CHF 199.25
CHF 6.91 CHF 691.00
CHF 6.61 CHF 1 652.50
CHF 6.03 CHF 3 015.00
CHF 6.01 CHF 6 010.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 5.01 CHF 12 525.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-16
1 Driver
1 Output
8 A
4.75 V
5.25 V
- 40 C
+ 125 C
LMG2100R026
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Kenndaten und Eigenschaften: Low Power Consumption
Eingangsspannung – Max: 5.25 V
Eingangsspannung – Min: 4.75 V
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Ausgangsspannung: 12 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 55 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 3.5 mOhms
Abschaltung: No Shutdown
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG2100R026 GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe

Die LMG2100R026 GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe von Texas Instruments enthält einen Gate-Treiber und Anreicherungsmodus-Galliumnitrid (GaN)-FETs. Die 53 A Halbbrücken-Leistungsstufe mit 93 V kontinuierlicher und 100 V Impulsspannung enthält zwei GaN-FETs, die von einem Hochfrequenz-GaN-FET-Treiber in einer Halbbrücken-Konfiguration angesteuert werden. Der Treiber und die beiden GaN-FETs sind auf einer vollständig bonddrahtfreien Gehäuseplattform mit minimierten parasitären Gehäusekomponenten montiert.