GP3T016A120H

Name: SemiQ GP3T016A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T016A120H
Price: 10.38 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GP3T016A120H

Herst.- Nr.:

GP3T016A120H

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

GP3T016A120H Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu SemiQ GP3T016A120H

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: Nicht auf Lager

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 18 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 10.38	CHF 10.38
	CHF 7.75	CHF 77.50
	CHF 6.70	CHF 804.00
	CHF 6.34	CHF 3 233.40
	CHF 5.39	CHF 5 497.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4L
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	350 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	23 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	260 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	484 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	29 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	25 ns
Serie:	GP3T
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

GP3T016A120H Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GEN3 1.200-V-SiC-MOSFET Diskrete Bauteile

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.