GCMS008C120S1-E1

Name: SemiQ GCMS008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS008C120S1-E1
Price: 35.71 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMS008C120S1-E1

Herst.- Nr.:

GCMS008C120S1-E1

Herst.:

SemiQ

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	189 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	12 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	536 W
Serie:	GCMS
Verpackung:	Tube
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Abfallzeit:	34 ns
Höhe:	12.19 mm
If - Durchlassstrom:	176 A
Länge:	38.1 mm
Produkt:	Power Modules
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	35 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	SiC MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	91 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	37 ns
Vf - Durchlassspannung:	2.03 V
Breite:	25.3 mm