8 Gbit Halbleiter

Arten von Halbleitern

Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 183
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G 1Gx8 1866MT/s 1.5V DDR3 A-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM 8G 1Gx8 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.35V, DDR3, 1Gx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

ISSI NAND-Flash SLC NAND, 8Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500