HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung

IXYS MOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 100 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 102 Amps 0V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 102 A HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 110 Amps 150V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 110 Amps 0V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 157 nC - 55 C + 175 C 694 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/12A TO-247
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs DIODE Id12 BVdass800
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 29 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 850 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 150 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 177 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 160 Amps 150V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 160 A 9.6 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 160 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 54 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/18A TO-247
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 60V/220A TrenchT3
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 136 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 230 Amps 75V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
Datenblatt
Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TO247 850V 30A N-CH XCLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 40A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 44 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 140 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 300V 46A N-CH TRENCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Power MOSFET AEC-Q101 Qualified
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 30

Si AEC-Q101 HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/60A TO-247-4L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube