HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
Datenblatt
1 550Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 20A N-CH X2CLASS
Datenblatt
950Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Datenblatt
850Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 120V 80A N-CH TRENCH
Datenblatt
600Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 80 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/4A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Datenblatt
1 000Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
Datenblatt
1 140Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P N-Channel 200 V 130 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
Datenblatt
1 170Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P N-Channel 100 V 60 A 18 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 175 C 176 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
Datenblatt
140Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 36A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 19 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 200V 50A N-CH X3CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 102 Amps 150V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 102 A HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 600V 10A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
Rolle: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 740 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Reel
IXYS MOSFETs 650V/12A TO-263
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 130 Amps 100V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 9.1 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 850V 14A N-CH HIPER
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 16A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 500 V 16 A 360 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 600V 16A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/18A TO-263
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 500 V 20 A 300 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 600V 22A N-CH POLAR
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
Si HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 240 mOhms HiPerFET Tube