NXH0x0F120MNF1 SiC-MOSFETs

Onsemi   NXH0x0F120MNF1 SiC-MOSFETs sind Leistungsmodule, die eine Vollbrücke und einen Thermistor in einem F1-Gehäuse enthalten. Diese MOSFETs verfügen über Thermistoren und Einpressstifte.  Die NXH0x0F120MNF1 Module haben sowohl ein zuvor aufgebrachtes Wärmeschnittstellenmaterial (TIM) als auch keine zuvor aufgebrachten TIM-Optionen. Diese Module eignen sich hervorragend für den Einsatz in Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Industrieleistung. Die NXH0x0F120MNF1 Module sind bleifrei, halidfrei und RoHS-konform. Diese Module sind mit -40°C bis 150°C im Lagertemperaturbereich und einem Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 175°C verfügbar. 

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
onsemi NXH007F120M3F2PTHG
onsemi MOSFET-Module 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
Datenblatt
23Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 149 A - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 353 W NXH007F120M3F2PTHG Tray
onsemi NXH011F120M3F2PTHG
onsemi MOSFET-Module 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
Datenblatt
12Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-34 N-Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 2.72 V - 40 C + 175 C 244 W NXH011F120M3F2PTHG Tray

onsemi MOSFET-Module SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
Datenblatt
28Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET-Module SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
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28Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC NXH040F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET-Module SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET
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28Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 28
Mult.: 28
SiC NXH020F120MNF1 Tray

onsemi MOSFET-Module SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET
Datenblatt
28Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 28
Mult.: 28
SiC NXH040F120MNF1 Tray