BJT Bipolartransistoren im DFN-Gehäuse

Nexperia BJT DFN-Gehäuse Leistungsbipolartransistoren bieten einen kleinen Formfaktor, der etwa 75 % weniger Platinenfläche benötigt und mehr Designflexibilität ermöglicht.   Diese bipolaren Transistoren verfügen über eine reduzierte parasitäre Induktivität und Kapazität mit einem verbesserten, niedrigen thermischen Widerstand, wodurch eine höhere Zuverlässigkeit ermöglicht wird. Die BJT-Komponenten eignen sich hervorragend für Applikationen, bei denen der Platz begrenzt ist. Zu den Applikationen gehören mobile Geräte, Wearables, Automotive-Sensoren und Kameramodule.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Verpackung
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1061 60V 1A PNP MEDPWR BJT
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 2 A 60 V 60 V 5 V 500 mV 1.65 W 145 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1061 60V 1A PNP MEDPWR BJT
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 2 A 60 V 60 V 5 V 500 mV 1.65 W 145 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1061 80V 1A PNP MEDPWR BJT
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SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 1 A 80 V 100 V 5 V 500 mV 420 mW 145 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1061 80V 1A PNP MEDPWR BJT
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 1 A 80 V 100 V 5 V 500 mV 420 mW 145 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1061 80V 1A PNP MEDPWR BJT
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SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 1 A 80 V 100 V 5 V 500 mV 420 mW 145 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1061 45V 1A NPN MEDPWR BJT
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 NPN Single 2 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.65 W 180 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1061 45V 1A NPN MEDPWR BJT
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 NPN Single 1 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.65 W 180 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1061 45V 1A NPN MEDPWR BJT
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 NPN Single 2 A 45 V 5 V 500 mV 1.65 W 180 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1061 45V 1A NPN MEDPWR BJT
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AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1061 45V 1A NPN MEDPWR BJT
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 NPN Single 1 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.65 W 180 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1061 60V 1A NPN MEDPWR BJT
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 NPN Single 1 A 60 V 60 V 5 V 500 mV 1.65 W 180 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1061 60V 1A NPN MEDPWR BJT
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AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1061 20V 2A PNP MEDPWR BJT
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Si SMD/SMT DFN-2020D-3 PNP Single 2 A 20 V 32 V 5 V 600 mV 420 mW 140 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT1061 30V 3A NPN BJT
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
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Rolle: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020D-3 NPN Single 30 V 50 V 6 V 220 mV 2.5 W 210 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Nexperia Bipolartransistoren - BJT BC55-10PA/SOT1061/HUSON3
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Nicht auf Lager
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Rolle: 3 000

Si SMD/SMT DFN-2020-3 NPN Single 1 A 60 V 60 V 5 V 500 mV 420 mW 180 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel