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FMMT411FDBWQ-7

Name: Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-FMMT411FDBWQ-7
Price: 3.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-FMMT411FDBWQ-7

Herst.- Nr.:

FMMT411FDBWQ-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT Avalanche Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K

Datenblatt:

FMMT411FDBWQ-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	3.42 CHF	3.42 CHF
	2.26 CHF	22.60 CHF
	1.60 CHF	160.00 CHF
	1.46 CHF	730.00 CHF
	1.45 CHF	1 450.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	1.24 CHF	3 720.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	W-DFN2020-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	80 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	80 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	7 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	100 mV
Pd - Verlustleistung:	1.8 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	110 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	FMMT411FDBWQ-7
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Diodes Incorporated
Kollektorgleichstrom:	5 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	100 at 10 mA, 10 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

FMMT411FDBWQ-7 Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FMMT411FDBWQ Niederspannungs-Avalanche-Transistor

Der Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ Niederspannungs-Avalanche-Transistor ist ein planarer Silizium-Bipolartransistor, der für den Betrieb im Avalanche-Modus ausgelegt ist. Eine enge Prozesssteuerung und ein Gehäuse mit niedriger Induktivität erzeugen Hochstrom-Impulse mit schnellen Flanken. Dieser bipolare Sperrschichttransistor (BJT) von Diodes Incorporated ist zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt.