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R8019KNXC7G

Name: ROHM Semiconductor R8019KNXC7G
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8019KNXC7G
Price: 6.37 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-R8019KNXC7G

Herst.- Nr.:

R8019KNXC7G

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs 800V 19A, TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET: The R8xxxKNx series are high-speed switching products, Super Junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency. This series products achieve higher efficiency via high-speed switching.

Datenblatt:

R8019KNXC7G Datenblatt

ECAD Model:

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	3.16 CHF	316.00 CHF
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220FM-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	19 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	265 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	65 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	60 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	50 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	110 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	35 ns

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Datenblatt

R8019KNXC7G Datenblatt

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

R8019KNXC7G n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von 800 V, 19 A

ROHM Semiconductor R8019KNXC7G n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von 800 V, 19 A sind Bauteile mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über einen R_{DS(on) von 0,265 Ω}(max.), eine Verlustleistung von 83 W und einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C. Der R8019KNXC7G Nch 800 V 19 A wird mit einer bleifreien Beschichtung geliefert und ist RoHs-konform. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über eine Parallelnutzung, die benutzerfreundlich ist und sich ideal für Schaltapplikationen eignet.