MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit STMs Streifenlayout für eines der branchenweit niedrigsten Niveaus an On-Widerstand und Gate-Ladung, wodurch die Komponenten den höchsten Ansprüchen von Wandlern mit hohem Wirkungsgrad gerecht werden. Diese MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs sind vollständig isoliert und in einem Niedrigprofilgehäuse mit erhöhtem Kriechstrom vom Pin zur Kühlkörperplatte untergebracht. Sie sind zu 100% Avalanche-getestet und bieten niedrige Eingangskapazität, Gate-Ladung und Gate-Eingangswiderstand.
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Arten von diskreten Halbleitern
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Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4