SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor® SiC (Silicon Carbide) Schottky Barrier Diodes feature low total capacitive (Qc) that reduces switching loss, enabling high-speed switching operation. In addition, unlike silicon-based fast recovery diodes where the trr increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance. These devices are ideal for use as key devices in a variety of applications, including inverters and chargers for EVs and solar power conditioners.

Arten von diskreten Halbleitern
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ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 650V 15A RDL SIC SKY
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FM-2
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 650V 20A RDL SIC SKY
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACGE-2
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 650V 20A RDL SIC SKY
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FM-2
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden 650V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 650V 30A RDL SIC SKY
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181Auf Lager
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 30A, 2nd Gen
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614Auf Lager
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 450mO 2nd Gen TO-247
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490Auf Lager
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 650V 15A RDL SIC SKY
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450erwartet ab 08.04.2026
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden RECT 650V 20A RDL SIC SKY
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 30A, 2nd Gen
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 450mO 2nd Gen TO-247
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450erwartet ab 04.06.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SIC SBD 650V 15A 100W TO-263AB (LPTL)
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Dioden SIC SBD 650V 20A 125W TO-263AB (LPTL)
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1 000erwartet ab 25.05.2026
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Rolle: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 14A N-CH SIC
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898erwartet ab 30.06.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 280mO 2nd Gen TO-247
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450erwartet ab 30.06.2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 2nd Gen TO-247
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3