QPL6207QTR7

Qorvo
772-QPL6207QTR7
QPL6207QTR7

Herst.:

Beschreibung:
HF-Verstärker Hi-Linearity SDARS LNA

ECAD Model:
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0.773 CHF 3 865.00 CHF
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Qorvo
Produktkategorie: HF-Verstärker
RoHS:  
2.332 GHz
3.3 V to 5.25 V
55 mA
18.5 dB
0.45 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
DFN-8
Si
21.5 dBm
35 dBm
- 40 C
+ 105 C
AEC-Q100
QPL6207Q
Reel
Cut Tape
Marke: Qorvo
Entwicklungs-Kit: QPL6207QPCK-01
Eingaberücklaufverlust: 9.5 dB
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Produkt-Typ: RF Amplifier
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Wireless & RF Integrated Circuits
Testfrequenz: 2.332 GHz
Artikel # Aliases: QPL6207Q
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542339000
USHTS:
8542330001
TARIC:
8542330000
ECCN:
5A991.g

QPL6207Q SDARS rauscharmer Verstärker (LNA)

Der QPL6207Q SDARS rauscharme Verstärker (LNA) von Qorvo verfügt über eine hohe Linearität und bietet +35 dBm OIP3 bei 2.332 MHz. Der LNA ist in einem bleifreien/umweltfreundlichen/RoHS-konformen, oberflächenmontierbaren Industriestandard-Gehäuse von 2 mm x 2 mm untergebracht und erfordert keine negative Versorgung für den Betrieb. Der QPL6207Q kann von positiven Versorgungsschienen von 3,3 bis 5,25 V vorgespannt werden. Der QPL6207Q nutzt ein leistungsstarkes E-pHEMT-Verfahren. Der rauscharme Verstärker enthält eine interne aktive Vorspannung, um die hohe Leistung über Temperatur zu erhalten.

Rauscharme Verstärker

Die rauscharme Verstärker (LNA) von Qorvo sind extrem rauscharme 2-Stufen-Gain-Block-Verstärkermodule mit hoher Linearität. Diese Verstärker bieten einen Betriebsbandbreite von 0,45 GHz bis 3,8 GHz. Die LNA-Module umfassen einen Bypass-Modus-Funktionsumfang, der in die zweite Stufe des Moduls integriert ist. Bei 1,95 GHz bieten die LNAs in der Regel eine Gain von 37,5 dB mit einem Ausgabeschnittpunkt (OIP3) von +35 dBm im hohen Gain-Modus. Darüber hinaus bieten diese Verstärker mit einer Gain von 17,5 dB und einem OIP3 von +34 dBm eine hohe Leistungsfähigkeit im niedrigen Gain-Modus. Die LNA-Module verwenden ein Hochleistungs-E-pHEMT-Verfahren (Enhancement Mode Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor). Die E-pHEMT-Technologie ermöglicht eine hohe Gain, ein niedriges Rauschen und einen großen Dynamikbereich in LNA-Applikationen mit hoher Linearität. Diese Verstärker enthalten außerdem eine interne aktive Vorspannung, um eine hohe Leistungsfähigkeit gegenüber der Temperatur aufrechtzuerhalten. Diese rauscharmen Verstärker sind in einem kompakten unbedrahteten 16-Pin-SMT-Gehäuse von 3,5 mm x 3,5 mm untergebracht, das bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform ist.