EasyPIM™ IGBT-Modul

Das Infineon Technologies EasyPIM™ IGBT-Modul ist ein Dreiphasen-Eingangsgleichrichter-PIM-IGBT-Modul mit TRENCHSTOP™ IGBT7 Emitter-gesteuerter Diode und NTC-/PressFIT-Technologie. Dieses Modul zeichnet sich durch eine verbesserte Steuerbarkeit von dv/dt, eine verbesserte FWD-Nachgiebigkeit, optimierte Schaltverluste und eine Kurzschlussfestigkeit von 8 µs aus. Das EasyPIM (Leistungs-integriertes Modul) ist sehr klein und ermöglicht dadurch eine höhere Leistungsdichte. Zur Erfüllung der Energieeffizienzanforderungen reduziert dieses Modul die Systemkosten und -verluste. Zu den typischen Applikationen gehören Umrichter, Klimaanlagen, Servomotoren und Heizung, Lüftung und Klima (HLK).

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Infineon Technologies FP15R12W1T7PBPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 15 A PIM IGBT module
Datenblatt
20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP35R12W2T7B11BOMA1
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
Datenblatt
14Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module 950 V, 200 A 3-level IGBT module
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
Datenblatt
Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 75 A sixpack IGBT module
Datenblatt
Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.55 V 65 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 10 A PIM IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA AG-EASY1B-2 - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7BOMA1
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7B11BOMA1
Infineon Technologies IGBT-Module EASY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray