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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
Datenblatt
64Auf Lager
1 200erwartet ab 17.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77.5 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
Datenblatt
183Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53.5 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
Datenblatt
161Auf Lager
240erwartet ab 09.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53.5 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
Datenblatt
170Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
Datenblatt
480erwartet ab 23.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77.5 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
Datenblatt
500erwartet ab 22.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10.6 A 342 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
Datenblatt
Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_PRICE/PERFORM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 600 V 22.4 A 162 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 40 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER PRICE/PERFORM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19.2 A 189 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 37 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube