NVXR22S90M2SPx EliteSiC Leistungsmodule

Die    NVXR22S90M2SPx EliteSiC Leistungsmodule  von onsemi bieten eine verbesserte Leistung, einen verbesserten Wirkungsgrad und eine verbesserte Leistungsdichte in einem kompakten und kompatiblen Gehäuse. Die   NVXR22S90M2SPx Module von onsemi verfügen über einen 900 V SiC-MOSFET in einer Six-Pack-Konfiguration mit Press-Fit-Pins für eine einfache Montage und eine verbesserte Zuverlässigkeit. Die Bauteile enthalten einen optimierten Pin-Rippen-Kühlkörper auf der Grundplatte und nutzen das Sinter-Verfahren für Zuverlässigkeit und thermischen Wirkungsgrad. Das Modul ist zur Erfüllung des AQG324 Automotive-Standards ausgelegt.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Serie Verpackung
onsemi MOSFET-Module SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPB 4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W NVXR22S90M2SPB Tray
onsemi MOSFET-Module SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPC 3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W NVXR22S90M2SPC Tray
onsemi MOSFET-Module SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPM 4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W Tray