NVMFWS004N10MCT1G

onsemi
863-VMFWS004N10MCT1G
NVMFWS004N10MCT1G

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PTNG 100V STD SO8FL

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
100 V
138 A
3.9 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
48 nC
- 55 C
+ 175 C
164 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: MY
Abfallzeit: 13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 120 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 18 ns
Serie: NVMFWS004N10MC
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 39 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 25 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NVMFWS004N10MC n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Onsemi NVMFWS004N10MC n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs bieten einen Dauersenkenstrom von 138 A, einen 3,9 mΩ bei 10 V RDS (ON) und eine U_DS von 100 V. Der NVMFWS004N10MC ist in einem Flat-Lead-Gehäuse von 5 mm x 6 mm erhältlich, das für kompakte und effiziente Designs ausgelegt ist. Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET von onsemi ist PPAP-fähig und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.