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RV4E031RPHZGTCR1

Name: ROHM Semiconductor RV4E031RPHZGTCR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RV4E031RPHZGTCR1
Price: 0.26 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RV4E031RPHZGTCR1

Herst.- Nr.:

RV4E031RPHZGTCR1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs AECQ

Datenblatt:

RV4E031RPHZGTCR1 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-1616-6W
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	105 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	4.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	18 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	22 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns
Artikel # Aliases:	RV4E031RPHZG

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Datenblatt

RV4E031RPHZGTCR1 Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

RV4E031RP HZG Kleinsignal-MOSFET

Der RV4E031RP HZG Kleinsignal-MOSFET von ROHM Semiconductor verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand, ein kleines Hochleistungsgehäuse und einen Niederspannungantrieb. Dieser MOSFET ist zu 100 % UIS-geprüft und verfügt über eine benetzbare Flanke für die automatische optische Lötkontrolle (AOI). Der RV4E031RP HZG-Signal-MOSFET arbeitet im Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und im Lagertemperaturbereich. Dieser MOSFET bietet eine Drain-Source-Spannung von -30 V, einen Drain-Dauerstrom von ±3,1 A und eine Verlustleistung von 1,5 W. Typische Applikationen sind Schaltkreise, High-Side-Lastschalter und Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber.