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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L
Datenblatt
155Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 71 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 222 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L
Datenblatt
128Auf Lager
450erwartet ab 20.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 81 A 40 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC