SRAM-Speicher- und Datenspeicherprodukte

SRAM-Speicher- und Datenspeicherprodukte von Renesas Electronics bieten RAMs mit hoher Dichte und hoher Leistungsfähigkeit mit fortschrittlichen stromsparenden SRAM-Technologien. Diese SRAM-Produkte werden in einem großen Temperaturbereich von -40°C bis 85°C und einem Spannungsbereich von 2,7 V bis 3,6 V (3-V-Teil) oder 4,5 V bis 5,5 V (5-V-Teil) betrieben. Die SRAM-Speicher- und Datenspeicherprodukte bieten außerdem eine geringe Standby-Verlustleistung und sind für Speicheranwendungen, Batteriebetrieb und Batterie-Backup-Designs geeignet.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
Renesas Electronics SRAM SRAM 1MB X8 3V SOP 55NS -40TO85C Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Renesas Electronics SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP48, 45ns, WTR Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray