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IR2114SSTRPBF

Name: Infineon IR2114SSTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IR2114SSTRPBF
Price: 3.77 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

942-IR2114SSTRPBF

Herst.- Nr.:

IR2114SSTRPBF

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Gate-Treiber 600V Hlf Brdg Drvr IC for Pwr Swtch App

Datenblatt:

IR2114SSTRPBF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3.77 CHF	3.77 CHF
	2.87 CHF	28.70 CHF
	2.64 CHF	66.00 CHF
	2.40 CHF	240.00 CHF
	2.28 CHF	570.00 CHF
	2.19 CHF	2 190.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	2.08 CHF	4 160.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

IR2114SSPBF

Verpackung:

Tube

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

6.25 CHF

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SSOP-24
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	1 A
Versorgungsspannung - Min.:	11.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Anstiegszeit:	24 ns
Abfallzeit:	7 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	TW
Ursprungsland:	TW
Kenndaten und Eigenschaften:	Synchronous
Logiktyp:	CMOS
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	440 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	440 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	2.5 mA
Pd - Verlustleistung:	1.5 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	660 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	1,700 g

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CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
KRHTS:: 8542311000
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

DC-EV-Ladelösungen

Die DC-EV-Ladelösungen von Infineon sind ein Portfolio von Halbleitern mit hohem Wirkungsgrad, die der steigenden Nachfrage nach schnelleren Batterieladesystemen in Elektrofahrzeugen (EV) gerecht werden. Aufgrund ihrer schnelleren Ladezeiten sind DC-Ladestationen derzeit die attraktivere Lösung als herkömmliche AC-EV-Ladestationen. Mit einer 120-kW-DC-Ladesäule kann nahezu 80 % einer Batterie in 30 Minuten geladen werden. Mit der Weiterentwicklung von Schnellladetechnologien wird sich die Ladezeit noch weiter verkürzen. Die Entwicklung einer erfolgreichen DC-EV-Versorgung kann jedoch eine schwierige Aufgabe sein. Die Designs müssen zur Verkürzung der Ladezeiten eine verbesserte Ausgangsleistung bieten, die Leistungsdichte innerhalb einer Gruppe von Ladestationen erhöhen, den Wirkungsgrad durch Erhöhung der Lasten verbessern und die Verlustleistung verringern. Infineon ist in der Lage, EV-Ladelösungen zu bieten, die Kilowatt- bis Megawatt-Leistungsbereiche abdecken und Hochspannungs-MOSFETs, SIC-Dioden, Mikrocontroller, AC/DC-Leistungsumwandlung und Gatetreiber-ICs umfassen.

IR2114SS 600 V-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC

Der IR2114SS 600 V-Halbbrücken-Gate-Treiber-IC von Infineon Technologies bietet typische 2 A Quellströme und 3 A Senkströme. Das Bauelement ist in einem 24-Pin-SSOP-Gehäuse für IGBTs und MOSFETs untergebracht. Zu den typischen Applikationen gehören Haushaltsgeräte, Motorsteuerung und -antriebe, Robotik, Heim- und Gebäudeautomatisierung und vieles mehr.