Hochgeschwindigkeits-IGBT4-Leistungsmodule
Microchip Technology Hochgeschwindigkeits-IGBT4-Leistungsmodule verfügen über einen niedrigen Spannungsabfall, einen niedrigen Ableitstrom und geringe Schaltverluste. Diese Module arbeiten bei einer Kollektor-Emitterspannung (VCES) von 1.200 V und bieten eine sehr niedrige Streuinduktivität, einen Kelvin-Emitter/eine Kelvin-Quelle für einen einfachen Antrieb und einen erweiterten Temperaturbereich. Die Vorteile der IGBT4-Module sind, dass es sich um Wandler mit hohem Wirkungsgrad handelt, die eine hervorragende Leistung bei einem Hochfrequenzbetrieb, ein niedriges Profil und einen thermischen Sperrschicht-zu-Kühlkörper-Widerstand bieten. Diese Module werden in Applikationen, wie z. B. hochzuverlässige Leistungssysteme, AC-Schalter, AC/DC- und DC/AC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad und Motorsteuerung verwendet.
